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                        MOS管功率损耗竟然还可以这么测!

                        2019-05-09 10:23 来源:互联网 编辑:Angelina

                        对于工程师来说,电源调试中最关键的环节就是MOSFET/IGBT的开关损耗测试,但很多工程师对开关损耗的测试还停留在人工计算的感性认知上,PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?今天小编就给大家好好说道说道!

                        一、前言

                        开关电源(SMPS)技术依托电源半导体开关设?#31119;?#22914;金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘门双极晶体管(IGBT)。这些设备提供了快速开关时间,能够耐受没有规律的电压峰值。同样重要的是,其在 On 状态或 Off 状态下消耗的功率?#27973;?#23567;,实现了很高的效率,而生成的热量很低。开关设备在极大程度上决定着 SMPS 的整体性能。开关设备的关键测量项目包括开关损耗、平均功率损耗等?#21462;?

                        二、功率损耗的原理图和实测图

                        一般来说,开关管工作的功率损耗原理图如图1所示,主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”,小部分能量体现在“导通状态”,而关闭状态的损耗很小几乎为0,可以忽略不计。

                        MOS管功率损耗竟然还可以这么测!

                        图1 开关管工作的功率损耗原理图

                        ?#23548;?#30340;测量波形图结果一般如图2所?#23613;?

                        MOS管功率损耗竟然还可以这么测!

                        图2 开关管?#23548;?#21151;率损耗测试

                        三、MOSFET和PFC MOSFET的测试区别

                        对于普通MOS管来说,不同周期的电压和电流波形几乎完全相同,因?#33487;?#20307;功率损耗只需要任意测量一个周期即可。但对于PFC MOS管来说,不同周期的电压和电流波形都不相同,因此功率损耗的准确评估依?#21040;?#38271;时间(一般大于100ms),较高采样率(推荐1G采样率)的波形捕获,此时需要的存储深度推荐在10M以上,并且要求所?#24615;?#22987;数据(不能抽样)?#23478;?#21442;与功率损耗计算,实测截图如图3所?#23613;?

                        MOS管功率损耗竟然还可以这么测!

                        图3 PFC MOSFET功率损耗实测截图

                        四、总结

                        开关损耗测试对于器件评估?#27973;?#20851;键,通过示波器的电源分析软件,可以快速有效的对器件的功率损耗记性评估。

                        声明:本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、?#35745;?#35270;频)等资料版权归原网站所?#23567;?#22914;我们采用了您不?#26031;?#24320;的文?#31108;蟯计?#26410;能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取?#23454;?#22788;理措施?#25442;?#36814;投稿,邮箱:[email protected]

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